IXFT50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
Artikelnummer
IXFT50N20
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24998 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT50N20
IXFT50N20 Elektroniska komponenter
IXFT50N20 Försäljning
IXFT50N20 Leverantör
IXFT50N20 Distributör
IXFT50N20 Datatabell
IXFT50N20 Foton
IXFT50N20 Pris
IXFT50N20 Erbjudande
IXFT50N20 Lägsta pris
IXFT50N20 Sök
IXFT50N20 Köp av
IXFT50N20 Chip