IXFT40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
Artikelnummer
IXFT40N30Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11710 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT40N30Q
IXFT40N30Q Elektroniska komponenter
IXFT40N30Q Försäljning
IXFT40N30Q Leverantör
IXFT40N30Q Distributör
IXFT40N30Q Datatabell
IXFT40N30Q Foton
IXFT40N30Q Pris
IXFT40N30Q Erbjudande
IXFT40N30Q Lägsta pris
IXFT40N30Q Sök
IXFT40N30Q Köp av
IXFT40N30Q Chip