IXFT36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
Artikelnummer
IXFT36N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
650W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12845 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT36N60P
IXFT36N60P Elektroniska komponenter
IXFT36N60P Försäljning
IXFT36N60P Leverantör
IXFT36N60P Distributör
IXFT36N60P Datatabell
IXFT36N60P Foton
IXFT36N60P Pris
IXFT36N60P Erbjudande
IXFT36N60P Lägsta pris
IXFT36N60P Sök
IXFT36N60P Köp av
IXFT36N60P Chip