IXFT32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
Artikelnummer
IXFT32N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48637 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT32N50
IXFT32N50 Elektroniska komponenter
IXFT32N50 Försäljning
IXFT32N50 Leverantör
IXFT32N50 Distributör
IXFT32N50 Datatabell
IXFT32N50 Foton
IXFT32N50 Pris
IXFT32N50 Erbjudande
IXFT32N50 Lägsta pris
IXFT32N50 Sök
IXFT32N50 Köp av
IXFT32N50 Chip