IXFT30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
Artikelnummer
IXFT30N60Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31360 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT30N60Q
IXFT30N60Q Elektroniska komponenter
IXFT30N60Q Försäljning
IXFT30N60Q Leverantör
IXFT30N60Q Distributör
IXFT30N60Q Datatabell
IXFT30N60Q Foton
IXFT30N60Q Pris
IXFT30N60Q Erbjudande
IXFT30N60Q Lägsta pris
IXFT30N60Q Sök
IXFT30N60Q Köp av
IXFT30N60Q Chip