IXFT30N50Q3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Artikelnummer
IXFT30N50Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
690W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19784 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT30N50Q3
IXFT30N50Q3 Elektroniska komponenter
IXFT30N50Q3 Försäljning
IXFT30N50Q3 Leverantör
IXFT30N50Q3 Distributör
IXFT30N50Q3 Datatabell
IXFT30N50Q3 Foton
IXFT30N50Q3 Pris
IXFT30N50Q3 Erbjudande
IXFT30N50Q3 Lägsta pris
IXFT30N50Q3 Sök
IXFT30N50Q3 Köp av
IXFT30N50Q3 Chip