IXFT26N50Q TR
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Artikelnummer
IXFT26N50Q TR
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268 (IXFT)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6113 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT26N50Q TR
IXFT26N50Q TR Elektroniska komponenter
IXFT26N50Q TR Försäljning
IXFT26N50Q TR Leverantör
IXFT26N50Q TR Distributör
IXFT26N50Q TR Datatabell
IXFT26N50Q TR Foton
IXFT26N50Q TR Pris
IXFT26N50Q TR Erbjudande
IXFT26N50Q TR Lägsta pris
IXFT26N50Q TR Sök
IXFT26N50Q TR Köp av
IXFT26N50Q TR Chip