IXFT26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
Artikelnummer
IXFT26N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23322 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT26N50
IXFT26N50 Elektroniska komponenter
IXFT26N50 Försäljning
IXFT26N50 Leverantör
IXFT26N50 Distributör
IXFT26N50 Datatabell
IXFT26N50 Foton
IXFT26N50 Pris
IXFT26N50 Erbjudande
IXFT26N50 Lägsta pris
IXFT26N50 Sök
IXFT26N50 Köp av
IXFT26N50 Chip