IXFT24N90P
MOSFET N-CH TO-268
Artikelnummer
IXFT24N90P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
660W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34409 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT24N90P
IXFT24N90P Elektroniska komponenter
IXFT24N90P Försäljning
IXFT24N90P Leverantör
IXFT24N90P Distributör
IXFT24N90P Datatabell
IXFT24N90P Foton
IXFT24N90P Pris
IXFT24N90P Erbjudande
IXFT24N90P Lägsta pris
IXFT24N90P Sök
IXFT24N90P Köp av
IXFT24N90P Chip