IXFT23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Artikelnummer
IXFT23N80Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20441 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT23N80Q
IXFT23N80Q Elektroniska komponenter
IXFT23N80Q Försäljning
IXFT23N80Q Leverantör
IXFT23N80Q Distributör
IXFT23N80Q Datatabell
IXFT23N80Q Foton
IXFT23N80Q Pris
IXFT23N80Q Erbjudande
IXFT23N80Q Lägsta pris
IXFT23N80Q Sök
IXFT23N80Q Köp av
IXFT23N80Q Chip