IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Artikelnummer
IXFT20N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
660W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16512 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT20N100P
IXFT20N100P Elektroniska komponenter
IXFT20N100P Försäljning
IXFT20N100P Leverantör
IXFT20N100P Distributör
IXFT20N100P Datatabell
IXFT20N100P Foton
IXFT20N100P Pris
IXFT20N100P Erbjudande
IXFT20N100P Lägsta pris
IXFT20N100P Sök
IXFT20N100P Köp av
IXFT20N100P Chip