IXFT17N80Q
MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
Artikelnummer
IXFT17N80Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48764 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT17N80Q
IXFT17N80Q Elektroniska komponenter
IXFT17N80Q Försäljning
IXFT17N80Q Leverantör
IXFT17N80Q Distributör
IXFT17N80Q Datatabell
IXFT17N80Q Foton
IXFT17N80Q Pris
IXFT17N80Q Erbjudande
IXFT17N80Q Lägsta pris
IXFT17N80Q Sök
IXFT17N80Q Köp av
IXFT17N80Q Chip