IXFT170N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Artikelnummer
IXFT170N25X3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268HV
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44017 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV Elektroniska komponenter
IXFT170N25X3HV Försäljning
IXFT170N25X3HV Leverantör
IXFT170N25X3HV Distributör
IXFT170N25X3HV Datatabell
IXFT170N25X3HV Foton
IXFT170N25X3HV Pris
IXFT170N25X3HV Erbjudande
IXFT170N25X3HV Lägsta pris
IXFT170N25X3HV Sök
IXFT170N25X3HV Köp av
IXFT170N25X3HV Chip