IXFT16N90Q
MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
Artikelnummer
IXFT16N90Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19461 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT16N90Q
IXFT16N90Q Elektroniska komponenter
IXFT16N90Q Försäljning
IXFT16N90Q Leverantör
IXFT16N90Q Distributör
IXFT16N90Q Datatabell
IXFT16N90Q Foton
IXFT16N90Q Pris
IXFT16N90Q Erbjudande
IXFT16N90Q Lägsta pris
IXFT16N90Q Sök
IXFT16N90Q Köp av
IXFT16N90Q Chip