IXFT15N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
Artikelnummer
IXFT15N100Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
690W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34634 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT15N100Q3
IXFT15N100Q3 Elektroniska komponenter
IXFT15N100Q3 Försäljning
IXFT15N100Q3 Leverantör
IXFT15N100Q3 Distributör
IXFT15N100Q3 Datatabell
IXFT15N100Q3 Foton
IXFT15N100Q3 Pris
IXFT15N100Q3 Erbjudande
IXFT15N100Q3 Lägsta pris
IXFT15N100Q3 Sök
IXFT15N100Q3 Köp av
IXFT15N100Q3 Chip