IXFT150N17T2
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFT150N17T2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
880W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
175V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
233nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23752 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT150N17T2
IXFT150N17T2 Elektroniska komponenter
IXFT150N17T2 Försäljning
IXFT150N17T2 Leverantör
IXFT150N17T2 Distributör
IXFT150N17T2 Datatabell
IXFT150N17T2 Foton
IXFT150N17T2 Pris
IXFT150N17T2 Erbjudande
IXFT150N17T2 Lägsta pris
IXFT150N17T2 Sök
IXFT150N17T2 Köp av
IXFT150N17T2 Chip