IXFT14N100
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
Artikelnummer
IXFT14N100
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24117 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFT14N100
IXFT14N100 Elektroniska komponenter
IXFT14N100 Försäljning
IXFT14N100 Leverantör
IXFT14N100 Distributör
IXFT14N100 Datatabell
IXFT14N100 Foton
IXFT14N100 Pris
IXFT14N100 Erbjudande
IXFT14N100 Lägsta pris
IXFT14N100 Sök
IXFT14N100 Köp av
IXFT14N100 Chip