IXFR36N60P
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR36N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24992 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR36N60P
IXFR36N60P Elektroniska komponenter
IXFR36N60P Försäljning
IXFR36N60P Leverantör
IXFR36N60P Distributör
IXFR36N60P Datatabell
IXFR36N60P Foton
IXFR36N60P Pris
IXFR36N60P Erbjudande
IXFR36N60P Lägsta pris
IXFR36N60P Sök
IXFR36N60P Köp av
IXFR36N60P Chip