Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFR102N30P

IXFR102N30P

MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR102N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
224nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16030 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFR102N30P
IXFR102N30P Elektroniska komponenter
IXFR102N30P Försäljning
IXFR102N30P Leverantör
IXFR102N30P Distributör
IXFR102N30P Datatabell
IXFR102N30P Foton
IXFR102N30P Pris
IXFR102N30P Erbjudande
IXFR102N30P Lägsta pris
IXFR102N30P Sök
IXFR102N30P Köp av
IXFR102N30P Chip