IXFR36N50P
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR36N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28544 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR36N50P
IXFR36N50P Elektroniska komponenter
IXFR36N50P Försäljning
IXFR36N50P Leverantör
IXFR36N50P Distributör
IXFR36N50P Datatabell
IXFR36N50P Foton
IXFR36N50P Pris
IXFR36N50P Erbjudande
IXFR36N50P Lägsta pris
IXFR36N50P Sök
IXFR36N50P Köp av
IXFR36N50P Chip