IXFR34N80
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR34N80
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
416W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47276 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR34N80
IXFR34N80 Elektroniska komponenter
IXFR34N80 Försäljning
IXFR34N80 Leverantör
IXFR34N80 Distributör
IXFR34N80 Datatabell
IXFR34N80 Foton
IXFR34N80 Pris
IXFR34N80 Erbjudande
IXFR34N80 Lägsta pris
IXFR34N80 Sök
IXFR34N80 Köp av
IXFR34N80 Chip