IXFR32N80P
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR32N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36176 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR32N80P
IXFR32N80P Elektroniska komponenter
IXFR32N80P Försäljning
IXFR32N80P Leverantör
IXFR32N80P Distributör
IXFR32N80P Datatabell
IXFR32N80P Foton
IXFR32N80P Pris
IXFR32N80P Erbjudande
IXFR32N80P Lägsta pris
IXFR32N80P Sök
IXFR32N80P Köp av
IXFR32N80P Chip