IXFR32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR32N100Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
570W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54584 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3 Elektroniska komponenter
IXFR32N100Q3 Försäljning
IXFR32N100Q3 Leverantör
IXFR32N100Q3 Distributör
IXFR32N100Q3 Datatabell
IXFR32N100Q3 Foton
IXFR32N100Q3 Pris
IXFR32N100Q3 Erbjudande
IXFR32N100Q3 Lägsta pris
IXFR32N100Q3 Sök
IXFR32N100Q3 Köp av
IXFR32N100Q3 Chip