Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFR30N60P

IXFR30N60P

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR30N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
166W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54527 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFR30N60P
IXFR30N60P Elektroniska komponenter
IXFR30N60P Försäljning
IXFR30N60P Leverantör
IXFR30N60P Distributör
IXFR30N60P Datatabell
IXFR30N60P Foton
IXFR30N60P Pris
IXFR30N60P Erbjudande
IXFR30N60P Lägsta pris
IXFR30N60P Sök
IXFR30N60P Köp av
IXFR30N60P Chip