IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR27N80Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20631 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR27N80Q
IXFR27N80Q Elektroniska komponenter
IXFR27N80Q Försäljning
IXFR27N80Q Leverantör
IXFR27N80Q Distributör
IXFR27N80Q Datatabell
IXFR27N80Q Foton
IXFR27N80Q Pris
IXFR27N80Q Erbjudande
IXFR27N80Q Lägsta pris
IXFR27N80Q Sök
IXFR27N80Q Köp av
IXFR27N80Q Chip