IXFR26N50
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR26N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34885 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR26N50
IXFR26N50 Elektroniska komponenter
IXFR26N50 Försäljning
IXFR26N50 Leverantör
IXFR26N50 Distributör
IXFR26N50 Datatabell
IXFR26N50 Foton
IXFR26N50 Pris
IXFR26N50 Erbjudande
IXFR26N50 Lägsta pris
IXFR26N50 Sök
IXFR26N50 Köp av
IXFR26N50 Chip