IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR21N100Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
350W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16685 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR21N100Q
IXFR21N100Q Elektroniska komponenter
IXFR21N100Q Försäljning
IXFR21N100Q Leverantör
IXFR21N100Q Distributör
IXFR21N100Q Datatabell
IXFR21N100Q Foton
IXFR21N100Q Pris
IXFR21N100Q Erbjudande
IXFR21N100Q Lägsta pris
IXFR21N100Q Sök
IXFR21N100Q Köp av
IXFR21N100Q Chip