IXFR20N120P
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR20N120P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
630 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
193nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12906 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFR20N120P
IXFR20N120P Elektroniska komponenter
IXFR20N120P Försäljning
IXFR20N120P Leverantör
IXFR20N120P Distributör
IXFR20N120P Datatabell
IXFR20N120P Foton
IXFR20N120P Pris
IXFR20N120P Erbjudande
IXFR20N120P Lägsta pris
IXFR20N120P Sök
IXFR20N120P Köp av
IXFR20N120P Chip