IXFQ28N60P3
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Artikelnummer
IXFQ28N60P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
695W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6192 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3 Elektroniska komponenter
IXFQ28N60P3 Försäljning
IXFQ28N60P3 Leverantör
IXFQ28N60P3 Distributör
IXFQ28N60P3 Datatabell
IXFQ28N60P3 Foton
IXFQ28N60P3 Pris
IXFQ28N60P3 Erbjudande
IXFQ28N60P3 Lägsta pris
IXFQ28N60P3 Sök
IXFQ28N60P3 Köp av
IXFQ28N60P3 Chip