IXFQ20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Artikelnummer
IXFQ20N50P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
380W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33975 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3 Elektroniska komponenter
IXFQ20N50P3 Försäljning
IXFQ20N50P3 Leverantör
IXFQ20N50P3 Distributör
IXFQ20N50P3 Datatabell
IXFQ20N50P3 Foton
IXFQ20N50P3 Pris
IXFQ20N50P3 Erbjudande
IXFQ20N50P3 Lägsta pris
IXFQ20N50P3 Sök
IXFQ20N50P3 Köp av
IXFQ20N50P3 Chip