IXFQ26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Artikelnummer
IXFQ26N50P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18813 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFQ26N50P3
IXFQ26N50P3 Elektroniska komponenter
IXFQ26N50P3 Försäljning
IXFQ26N50P3 Leverantör
IXFQ26N50P3 Distributör
IXFQ26N50P3 Datatabell
IXFQ26N50P3 Foton
IXFQ26N50P3 Pris
IXFQ26N50P3 Erbjudande
IXFQ26N50P3 Lägsta pris
IXFQ26N50P3 Sök
IXFQ26N50P3 Köp av
IXFQ26N50P3 Chip