IXFP8N85XM
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFP8N85XM
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220 Isolated Tab
Effektförlust (max)
33W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
850V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
654pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50665 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP8N85XM
IXFP8N85XM Elektroniska komponenter
IXFP8N85XM Försäljning
IXFP8N85XM Leverantör
IXFP8N85XM Distributör
IXFP8N85XM Datatabell
IXFP8N85XM Foton
IXFP8N85XM Pris
IXFP8N85XM Erbjudande
IXFP8N85XM Lägsta pris
IXFP8N85XM Sök
IXFP8N85XM Köp av
IXFP8N85XM Chip