IXFP110N15T2
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
Artikelnummer
IXFP110N15T2
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10064 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP110N15T2
IXFP110N15T2 Elektroniska komponenter
IXFP110N15T2 Försäljning
IXFP110N15T2 Leverantör
IXFP110N15T2 Distributör
IXFP110N15T2 Datatabell
IXFP110N15T2 Foton
IXFP110N15T2 Pris
IXFP110N15T2 Erbjudande
IXFP110N15T2 Lägsta pris
IXFP110N15T2 Sök
IXFP110N15T2 Köp av
IXFP110N15T2 Chip