IXFP4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
Artikelnummer
IXFP4N60P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
114W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32316 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP4N60P3
IXFP4N60P3 Elektroniska komponenter
IXFP4N60P3 Försäljning
IXFP4N60P3 Leverantör
IXFP4N60P3 Distributör
IXFP4N60P3 Datatabell
IXFP4N60P3 Foton
IXFP4N60P3 Pris
IXFP4N60P3 Erbjudande
IXFP4N60P3 Lägsta pris
IXFP4N60P3 Sök
IXFP4N60P3 Köp av
IXFP4N60P3 Chip