IXFP38N30X3
FET N-CHANNEL
Artikelnummer
IXFP38N30X3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
240W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2240pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42803 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP38N30X3
IXFP38N30X3 Elektroniska komponenter
IXFP38N30X3 Försäljning
IXFP38N30X3 Leverantör
IXFP38N30X3 Distributör
IXFP38N30X3 Datatabell
IXFP38N30X3 Foton
IXFP38N30X3 Pris
IXFP38N30X3 Erbjudande
IXFP38N30X3 Lägsta pris
IXFP38N30X3 Sök
IXFP38N30X3 Köp av
IXFP38N30X3 Chip