IXFP20N50P3M
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Artikelnummer
IXFP20N50P3M
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
58W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40256 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M Elektroniska komponenter
IXFP20N50P3M Försäljning
IXFP20N50P3M Leverantör
IXFP20N50P3M Distributör
IXFP20N50P3M Datatabell
IXFP20N50P3M Foton
IXFP20N50P3M Pris
IXFP20N50P3M Erbjudande
IXFP20N50P3M Lägsta pris
IXFP20N50P3M Sök
IXFP20N50P3M Köp av
IXFP20N50P3M Chip