IXFP130N10T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Artikelnummer
IXFP130N10T2
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10130 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFP130N10T2
IXFP130N10T2 Elektroniska komponenter
IXFP130N10T2 Försäljning
IXFP130N10T2 Leverantör
IXFP130N10T2 Distributör
IXFP130N10T2 Datatabell
IXFP130N10T2 Foton
IXFP130N10T2 Pris
IXFP130N10T2 Erbjudande
IXFP130N10T2 Lägsta pris
IXFP130N10T2 Sök
IXFP130N10T2 Köp av
IXFP130N10T2 Chip