Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFK36N60P

IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Artikelnummer
IXFK36N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
650W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32147 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFK36N60P
IXFK36N60P Elektroniska komponenter
IXFK36N60P Försäljning
IXFK36N60P Leverantör
IXFK36N60P Distributör
IXFK36N60P Datatabell
IXFK36N60P Foton
IXFK36N60P Pris
IXFK36N60P Erbjudande
IXFK36N60P Lägsta pris
IXFK36N60P Sök
IXFK36N60P Köp av
IXFK36N60P Chip