IXFK360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Artikelnummer
IXFK360N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26867 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK360N10T
IXFK360N10T Elektroniska komponenter
IXFK360N10T Försäljning
IXFK360N10T Leverantör
IXFK360N10T Distributör
IXFK360N10T Datatabell
IXFK360N10T Foton
IXFK360N10T Pris
IXFK360N10T Erbjudande
IXFK360N10T Lägsta pris
IXFK360N10T Sök
IXFK360N10T Köp av
IXFK360N10T Chip