Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFK32N100Q3

IXFK32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Artikelnummer
IXFK32N100Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53331 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFK32N100Q3
IXFK32N100Q3 Elektroniska komponenter
IXFK32N100Q3 Försäljning
IXFK32N100Q3 Leverantör
IXFK32N100Q3 Distributör
IXFK32N100Q3 Datatabell
IXFK32N100Q3 Foton
IXFK32N100Q3 Pris
IXFK32N100Q3 Erbjudande
IXFK32N100Q3 Lägsta pris
IXFK32N100Q3 Sök
IXFK32N100Q3 Köp av
IXFK32N100Q3 Chip