IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
Artikelnummer
IXFK27N80
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9740pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50136 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK27N80
IXFK27N80 Elektroniska komponenter
IXFK27N80 Försäljning
IXFK27N80 Leverantör
IXFK27N80 Distributör
IXFK27N80 Datatabell
IXFK27N80 Foton
IXFK27N80 Pris
IXFK27N80 Erbjudande
IXFK27N80 Lägsta pris
IXFK27N80 Sök
IXFK27N80 Köp av
IXFK27N80 Chip