IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Artikelnummer
IXFK210N17T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
1150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
170V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
285nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52995 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK210N17T
IXFK210N17T Elektroniska komponenter
IXFK210N17T Försäljning
IXFK210N17T Leverantör
IXFK210N17T Distributör
IXFK210N17T Datatabell
IXFK210N17T Foton
IXFK210N17T Pris
IXFK210N17T Erbjudande
IXFK210N17T Lägsta pris
IXFK210N17T Sök
IXFK210N17T Köp av
IXFK210N17T Chip