IXFK180N10
MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
Artikelnummer
IXFK180N10
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
390nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49165 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK180N10
IXFK180N10 Elektroniska komponenter
IXFK180N10 Försäljning
IXFK180N10 Leverantör
IXFK180N10 Distributör
IXFK180N10 Datatabell
IXFK180N10 Foton
IXFK180N10 Pris
IXFK180N10 Erbjudande
IXFK180N10 Lägsta pris
IXFK180N10 Sök
IXFK180N10 Köp av
IXFK180N10 Chip