IXFK170N10
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
Artikelnummer
IXFK170N10
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
TO-264AA (IXFK)
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
515nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34768 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFK170N10
IXFK170N10 Elektroniska komponenter
IXFK170N10 Försäljning
IXFK170N10 Leverantör
IXFK170N10 Distributör
IXFK170N10 Datatabell
IXFK170N10 Foton
IXFK170N10 Pris
IXFK170N10 Erbjudande
IXFK170N10 Lägsta pris
IXFK170N10 Sök
IXFK170N10 Köp av
IXFK170N10 Chip