IXFJ26N50P3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
Artikelnummer
IXFJ26N50P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
265 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38624 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFJ26N50P3
IXFJ26N50P3 Elektroniska komponenter
IXFJ26N50P3 Försäljning
IXFJ26N50P3 Leverantör
IXFJ26N50P3 Distributör
IXFJ26N50P3 Datatabell
IXFJ26N50P3 Foton
IXFJ26N50P3 Pris
IXFJ26N50P3 Erbjudande
IXFJ26N50P3 Lägsta pris
IXFJ26N50P3 Sök
IXFJ26N50P3 Köp av
IXFJ26N50P3 Chip