IXFI7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Artikelnummer
IXFI7N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262 (I2PAK)
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11761 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFI7N80P
IXFI7N80P Elektroniska komponenter
IXFI7N80P Försäljning
IXFI7N80P Leverantör
IXFI7N80P Distributör
IXFI7N80P Datatabell
IXFI7N80P Foton
IXFI7N80P Pris
IXFI7N80P Erbjudande
IXFI7N80P Lägsta pris
IXFI7N80P Sök
IXFI7N80P Köp av
IXFI7N80P Chip