IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFH80N65X2-4
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-4
Leverantörsenhetspaket
TO-247-4L
Effektförlust (max)
890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46716 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4 Elektroniska komponenter
IXFH80N65X2-4 Försäljning
IXFH80N65X2-4 Leverantör
IXFH80N65X2-4 Distributör
IXFH80N65X2-4 Datatabell
IXFH80N65X2-4 Foton
IXFH80N65X2-4 Pris
IXFH80N65X2-4 Erbjudande
IXFH80N65X2-4 Lägsta pris
IXFH80N65X2-4 Sök
IXFH80N65X2-4 Köp av
IXFH80N65X2-4 Chip