IXFH100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
Artikelnummer
IXFH100N25P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52150 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH100N25P
IXFH100N25P Elektroniska komponenter
IXFH100N25P Försäljning
IXFH100N25P Leverantör
IXFH100N25P Distributör
IXFH100N25P Datatabell
IXFH100N25P Foton
IXFH100N25P Pris
IXFH100N25P Erbjudande
IXFH100N25P Lägsta pris
IXFH100N25P Sök
IXFH100N25P Köp av
IXFH100N25P Chip