IXFH80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Artikelnummer
IXFH80N25X3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXFH)
Effektförlust (max)
390W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5430pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35210 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH80N25X3
IXFH80N25X3 Elektroniska komponenter
IXFH80N25X3 Försäljning
IXFH80N25X3 Leverantör
IXFH80N25X3 Distributör
IXFH80N25X3 Datatabell
IXFH80N25X3 Foton
IXFH80N25X3 Pris
IXFH80N25X3 Erbjudande
IXFH80N25X3 Lägsta pris
IXFH80N25X3 Sök
IXFH80N25X3 Köp av
IXFH80N25X3 Chip