IXFH66N20Q
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Artikelnummer
IXFH66N20Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD (IXFH)
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21499 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFH66N20Q
IXFH66N20Q Elektroniska komponenter
IXFH66N20Q Försäljning
IXFH66N20Q Leverantör
IXFH66N20Q Distributör
IXFH66N20Q Datatabell
IXFH66N20Q Foton
IXFH66N20Q Pris
IXFH66N20Q Erbjudande
IXFH66N20Q Lägsta pris
IXFH66N20Q Sök
IXFH66N20Q Köp av
IXFH66N20Q Chip